1400℃真空管式炉这款管式炉以硅碳为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双层炉壳间配有风冷系统,能快速升... ...
1400℃气氛炉、 广泛应用于实验室、工矿企业、科研单位的前期实验,还原气氛、惰性气氛、氢氮混合气氛等多种类型,额定温度分别为1100℃、1300℃、1500℃、1600℃、1700℃,根据不同的气氛,... ...
简单介绍 1800℃气氛炉气氛炉广泛应用于实验室、工矿企业、科研单位的前期实验,还原气氛、惰性气氛、氢氮混合气氛等多种类型,额定温度分别为1100℃、1300℃、1500℃、1600、1700℃,根据... ...
简单介绍 1100℃真空电阻炉 一、真电阻炉应用领域 该真空电阻炉以电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,真空电阻炉... ...
简单介绍 1600℃真空电阻炉 一、真空电阻炉应用领域 该真空电阻炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,真... ...
井式电阻炉炉盖与炉体的密封是通过密封槽来进行的,使用时密封槽注满清洁干河砂(或砂棉)即可,不每炉添加。电炉分两个加热区域,每区功率60kW,分别采用接法。因该电炉直径较大,为... ...
1300℃真空电阻炉 一、真空电阻炉应用领域 该真空电阻炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,真空电阻炉广泛应用... ...
简单介绍 1600度真空烧结炉 本系列产品,额定温度分别为1100℃、1400℃、1600℃、1700℃,使用不同的加热元件,型号,,同时也可满足于不同工艺实验而制造,适用于电子陶瓷... ...
简单介绍 卧式高温烧结炉采用卧式炉体结构,装卸料方便,装炉容量可以做大,适用于大批量工业生产。 卧式高温烧结炉炉盖采用齿圈式结构,气动打开锁紧,适用微正压烧结,打开炉门方便。 ...
实验用真空热处理炉本产品为卧式炉体结构,适用于高等院校、科研单位等进行材料的真空或保护气氛热处理之用。也适用小批量金属材料的真空热处理之用 ...
2200℃高温烧结炉结构说明 1.采用本公司自制钨管热电偶,直接由低温到高温控温,可使用到2200度。 2.型钨网发热体,配合改进变形全金属隔热屏,延长设备使用寿命。 3.底部装卸... ...
真空热压炉电炉主要供大专院校、科研单位针对无机材料在真空(或保护气氛)热压条件下进行烧结处理,以便获得高致密度的产品(如生产高氮化硅陶瓷轴承等) ...
真空碳管炉:主要技术参数 1.额定功率:25Kw(40KW) 2.电源电压:三相380V 3.额定电压:0-36V 4.额定温度:2000℃ 5.限真空度:6.67×10-a 6.工作区尺寸:Ф90×120(Ф160×160) 7.... ...
真空高压多功能烧结炉适用于LED荧光粉,硬质合金,复合刀具材料,特种陶瓷材料等高温烧结制备。真空高压多功能烧结炉炉体采用耐压容器制成。石墨材料制成发热元件,红外光纤仪测温。 ...
管式电阻炉 SL1400℃管式炉 1600℃管式炉 1800℃管式炉 以硅碳为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双... ...
真空碳管炉:主要技术参数 1.额定功率:25Kw(40KW) 2.电源电压:三相380V 3.额定电压:0-36V 4.额定温度:2000℃ 5.限真空度:6.67×10-a 6.工作区尺寸:Ф90×120(Ф160×160) 7.... ...
1700℃管式炉这款管式炉以1800型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双层炉壳间配有风冷系统,能快... ...
高校院校高温管式炉 管式炉以硅碳为加热元件,采用双层壳体结构和40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,管式炉双层炉壳间配有风冷系统,能快速... ...